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日本nasgiken硅晶片氣體蝕刻設備潔凈室裝置 BEM-310該設備使用臭氧和HF對硅晶片的整個表面進行體蝕刻。氣體蝕刻不會在晶圓表面產生水滴。蝕刻期間晶圓中的污染物不會轉移到其他位置。這是在潔凈室中使用的獨立式設備。
產品型號：BEM-310廠商性質：經銷商更新時間：2025-05-07訪 問 量：557
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日本nasgiken硅晶片氣體蝕刻設備潔凈室裝置 BEM-310 特點介紹
該設備使用臭氧和HF對硅晶片的整個表面進行體蝕刻。
氣體蝕刻不會在晶圓表面產生水滴。
蝕刻期間晶圓中的污染物不會轉移到其他位置。
這是在潔凈室中使用的獨立式設備。
使用單張片材對整個表面進行蝕刻，但也可以通過映射恢復進行部分評估。
晶圓搬運由人工完成，但設備由計算機控制，操作方便。
日本nasgiken硅晶片氣體蝕刻設備潔凈室裝置 BEM-310 規格參數
設備名稱 BEM-310
兼容晶圓尺寸 200毫米、300毫米
手術 內置電腦
批量蝕刻功能 ○
恢復率能力 ±10%以內
蝕刻后平整度 ±10%以內
外形尺寸（寬×深×高）（毫米）（*1） 1000×1300×2000
重量 約150公斤
使用設備 酸排放、一般廢氣、酸廢氣
所需的公用設施 電源（AC100V、200V）、純水、O2、N2、HF
該設備使用臭氧和HF對硅晶片的整個表面進行體蝕刻。
氣體蝕刻不會在晶圓表面產生水滴。
蝕刻期間晶圓中的污染物不會轉移到其他位置。
這是在潔凈室中使用的獨立式設備。
使用單張片材對整個表面進行蝕刻，但也可以通過映射恢復進行部分評估。
晶圓搬運由人工完成，但設備由計算機控制，操作方便。
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