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日本otsuka大塚分光干涉式晶圓膜厚儀

日本otsuka大塚分光干涉式晶圓膜厚儀
分光干涉式晶圓膜厚儀 SF-3
即時檢測 WAFER基板于研磨制程中的膜厚 玻璃基板于減薄制程中的厚度變化 (強酸環境中) 產品特色 非接觸式、非破壞性光學式膜厚檢測 采用分光干涉法實現高度檢測再現性

  • 產品型號：SF-3
  • 廠商性質：經銷商
  • 更新時間：2025-10-13
  • 訪  問  量：22
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日本otsuka大塚分光干涉式晶圓膜厚儀
日本otsuka大塚分光干涉式晶圓膜厚儀

即時檢測 WAFER基板于研磨制程中的膜厚 玻璃基板于減薄制程中的厚度變化 (強酸環境中) 產品特色 非接觸式、非破壞性光學式膜厚檢測 采用分光干涉法實現高度檢測再現性 



產品特色

  • 即時檢測：能夠實時檢測晶圓（WAFER）基板在研磨過程中的膜厚，以及玻璃基板在強酸環境中減薄過程中的厚度變化。
  • 非接觸式、非破壞性：利用光學式方法進行膜厚檢測，無需接觸樣品，不會對樣品造成破壞。
  • 分光干涉法：采用分光干涉法實現高精度的檢測再現性。
  • 高速檢測：能夠進行高速的即時研磨檢測。
  • 多層檢測：可以穿越保護膜、觀景窗等中間層進行檢測。
  • 適應性強：可以對應長工作距離，容易安裝在產線或設備中。
  • 體積小：節省空間，設備安裝簡易。
  • 線上檢測：可以對應線上檢測的外部信號觸發需求。
  • 算法：采用適合膜厚檢測的獨自解析演算法（已取得）。
  • 膜厚分布制圖：可以自動進行膜厚分布制圖（選配項目）。

規格樣式

  • 膜厚測量范圍：0.1 μm ~ 1600μm（根據不同光譜儀種類，厚度測量范圍可能不同）。
  • 膜厚精度：±0.1% 以下。
  • 重復精度：0.001% 以下。
  • 測量時間：10毫秒以下。
  • 測量光源：半導體光源。
  • 測量口徑：φ27μm（最小可達φ6μm）。
  • 工作距離（WD）：3 mm ~ 200 mm。



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